5月30日消息，近日，AMD CEO蘇姿豐在比利時Imec ITF World 2024大會上披露，AMD計劃采用3nm環繞柵極（GAA）技術量產下一代芯片。

蘇姿豐當時說，3nm GAA晶體管可提升效率及性能，封裝、互連（interconnect）技術也有改善，這會讓AMD產品變得更具成本效益、功耗效率（power efficiency）也較高。

目前，三星電子是唯一一家商業化GAA 3nm芯片加工技術的芯片制造商，并于2023年成為全球首家將3nm制程節點應用至GAA晶體管架構的廠商。

這也被解讀為AMD將與三星合作開發3nm GAA技術芯片，這一合作可能將幫助AMD在成本效益和能效方面取得優勢。

與此同時，臺積電的3nm產能已被蘋果、高通等大客戶全包下。臺積電計劃從2nm節點開始將GAA技術應用于其芯片制造工藝，預計將于2027年達到1.6nm工藝節點，并在2027-2028年左右開始量產1.4nm工藝。

業界分析人士指出，如果AMD與三星在3nm節點技術上合作，這將有助于三星縮小其在代工市場與臺積電之間的市場份額差距。

長期以來，三星與AMD一直在圖形處理單元（GPU）和高帶寬內存（HBM）芯片方面進行合作，HBM近期成為人工智能設備的熱門DRAM。

去年，三星和AMD簽署了一份多年期合作擴展協議，將AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon圖像銳化功能引入三星Exynos應用處理器產品組合中。作為更廣泛合作的一部分，三星還同意向AMD提供HBM芯片和一站式封裝服務。